“第十九届全国LED产业发展与技术研讨会（2025’LED）”

暨“2025全国LED显示应用技术交流及产业发展研讨会”

联合征文通知

各有关单位：

由中国光学光电子行业协会指导，中国光学光电子行业协会光电器件分会和发光二极管显示应用分会联合主办的“第十九届全国LED产业发展与技术研讨会（2025’LED）”暨“2025全国LED显示应用技术交流及产业发展研讨会”将于2025年9月召开，本会议是每两年一次的我国LED产业领域的传统重要会议和行业盛会，在产业技术领域和业界具有广泛学术影响力。现开始面向全国征集会议论文。

LED产业作为国家战略性新兴产业的重要组成部分，一直把创新作为引领发展的第一动力，近年来新技术层出不穷，推动LED产业持续增长，我国LED行业通过技术创新、品质提升和业务拓展等策略，行业地位得到巩固提升，LED产业进入高质量转型发展阶段。

本届会议以“新技术推动LED产业转型升级”为主题，旨在探讨第三代半导体、Mini/Micro LED、XR、人工智能等新技术发展对LED产业带来的挑战和影响，重点围绕基础材料、芯片及封装、宽禁带半导体、LED显示应用等新技术、新产品进行研讨，研究LED技术发展热点，交流两年来技术创新成果、产业新技术发展方向和新趋势，促进产业融合与协同创新，推动LED产业转型升级。

本次会议征文具体事项如下：

一、征文范围（包括但不限于）

     1、基础材料及设备

衬底材料（蓝宝石、硅、SiC及其它）技术和工艺；

MO源技术；

LED外延材料制备技术；

半导体装备最新技术进展。

     2、芯片及封装

LED芯片制造、器件封装技术；

半导体照明光源的相关技术；

高效、高稳定荧光粉技术；

LED紫外芯片封装相关技术；

Mini-LED、Micro-LED相关技术；

与LED相关的光电器件技术。

    3、宽禁带半导体相关技术

宽禁带半导体产业、技术发展现状及建议；

宽禁带半导体国产装备进展；

宽禁带半导体衬底材料进展情况；

宽禁带半导体封测技术进展情况；

射频电子技术进展情况；

电力电子技术进展情况；

硅基氮化镓技术进展情况。

    4、LED显示应用

 LED显示应用技术国内外发展动态；

   LED显示应用新技术、新产品及创新成果；

   COB、GOB、Mini-LED、Micro-LED、MIP显示技术及应用；

   XR\VR技术及应用；

   LED显示应用产品制造装备、材料、器件；

   显示系统控制、视频处理、播放系统关键技术；

   LED显示系统产品结构、工艺和工程应用；

    5、测试、标准化及知识产权

   LED器件、显示应用产品测试技术；

   LED器件及显示应用产品标准、可靠性；

   LED器件及显示应用产品知识产权保护；

   LED国际市场拓展及贸易摩擦应对。

    6、综合技术及产业发展

   国际LED技术发展动态及展望；

   LED、半导体照明技术工艺最新进展及发展前景；

   LED紫外相关产品应用；

   LED产业化发展中的相关技术及相关问题；

   LED技术应用创新及市场前景；

   LED企业经营管理和资本运作等。

二、重要时间节点

截稿日期：2025年6月30日

审稿日期：2025年7月中旬

录用通知：2025年8月中旬

三、稿件要求

论文文稿格式统一，采用word格式，以E-mail形式提交，3000字左右。要求：中英文的标题、摘要、关键词，作者姓名（汉拼）。排列顺序：标题、作者姓名、单位、摘要、关键词、正文、参考文献。同时提交作者通信地址、邮编、电话及传真。

具体格式、内容要求参见附件一。

四、论文提交方式

用电子邮件发送到以下邮箱：光电器件分会：13933157199@139.com；发光二极管显示应用分会：hyxh@leds.org.cn。

五、其它

    1、提交的论文经专家审稿后录用后，将收入会议论文集。

    2、对收录的会议论文，将通过专家评审选出一、二等奖论文，会议将向获奖论文颁发证书并有机会在大会进行交流。

    3、相关事宜可与中国光协光电器件分会秘书处、发光二极管显示应用分会秘书处联系，具体如下：

联系人：刘育青，13933157199，E-mail：13933157199@139.com

联系人：张璐，021-52703216，13601977028，E-mail：hyxh@leds.org.cn

    热忱欢迎国内外从事LED及LED显示相关行业的广大科技人员、工程技术人员、技术推广人员、市场应用人员和企业管理人员踊跃投稿，到会交流，亦希望各会员单位积极参与并组织安排相关人员撰写论文。

中国光学光电子行业协会光电器件分会

中国光学光电子行业协会发光二极管显示应用分会

二O二四年十二月

附件一  论文文稿具体格式及内容要求

1、论文题目中文（居中，五号宋体字体，加黑，20个汉字以内）

作者姓名（中文）：姓在前、名在后，第二，三作者依次排列（公司全称，城市，邮编）

    2、摘要应能反映文章主要内容，应能给读者关于文章内容的足够信息。论文和研究报告采用报道性文摘，它包括研究的目的、方法、结果和结论；综述采用指示性文摘，指明文章的主题范围，并含有作者的观点。中文摘要不超过300个汉字。

    3、关键字：3-8个

    4、论文题目英文（字体Times new Roman 14号字体，加黑）作者姓名英文，姓氏的全部字母均大写，名字的首字母大写，字体Times newRoman 10号字体，如：GENG Lihua（单位英文全称，城市名拼音，邮编，CHN）

    5、Abstract：正文 Times New Roman 11 号字体，限150个单词

    6、Keywords：3-8个

    7、正文要求：来稿采用A4幅面，小四号宋体字体。文稿语句通畅，结构清晰，文中所提及术语及名称等尽量为中文，所配图表（含标注）皆以中文表述，且图片（黑白色）清晰。曲线图应去掉没有坐标一侧的框线及底纹，物理量用符号表示，用“/” 与量纲单位隔开，如:V/V；t/ns；J/(μA•cm-2)，刻度线应在框内侧，只保留主要刻度线。

    8、参考文献：按正文中出现的次序列于文后，如引用期刊文章格式为：[序号]主要责任者.文献题名[文献类型标识].刊名,年,卷（期)：起止页码，文献类型标识为：专著[M]，论文集[C]，期刊[J]，学位论文[D]，报告[R]，标准[S]，专利[P]，工具书[K]。范例：

[1]JONES K S, PRUSSIN S, WEBER E R, et al. A systematic analysis of defects in ion-implanted silicon [J].Appl Phys A, 1988, 45(1):342-347.

[2]白居宪.低噪声频率合成[M].陕西：西安交通大学出版社，1995：50-70.

[3]WEN Z M, CHOO K F. The optimum thermal of microchannel heat sinks[C]//IEEE CPMT Electronic Packaging Technology Conf. New York, USA，1997:123-129.

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